Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
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氮原子层掺杂砷化镓产生单光子
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Yaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takamiya;Y.Endo;T. Fukushima;S. Yagi;Y. Hijikata;T. Mochizuki;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;K. Onabe;R. Katayama;H. Yaguchi
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影响因子：
1.5
作者：
M. Ikezawa;Y. Sakuma;Y. Masumoto
通讯作者：
M. Ikezawa;Y. Sakuma;Y. Masumoto
GaAs(111)A 上生长的氮 δ 掺杂 GaAs 中单等电子陷阱的光致发光
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Physica E(掲載確定)
影响因子：
--
作者：
T.Fukushima;Y.Hijikata;H.Yaguchi;S.Yoshida;M.Okano;M.Yoshita;H.Akiyama;S.Kuboya;R.Katayama;K.Onabe
通讯作者：
K.Onabe
氮 δ 掺杂 GaAs 中单个等电子陷阱的双光致发光峰
影响因子：
3.3
作者：
Y. Endo;Y. Hijikata;H. Yaguchi;S. Yoshida;M. Yoshita;H. Akiyama;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe
ZnSe 中单个 te 杂质中心的时间分辨光致发光光谱
影响因子：
3.7
作者：
A. Muller;P. Bianucci;C. Piermarocchi;M. Fornari;I. Robin;R. André;C. Shih
通讯作者：
C. Shih