Room-temperature nonsaturating magnetoresistance of intrinsic bulk silicon in high pulsed magnetic fields
Room-temperature nonsaturating magnetoresistance of intrinsic bulk silicon in high pulsed magnetic fields
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高脉冲磁场中本征体硅的室温非饱和磁阻
DOI：
10.1063/1.3569139
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发表时间：
2011-03
影响因子：
4
通讯作者：
Moshchalkov, V. V.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu, L. H.;Zhang, X.;Vanacken, J.;Schildermans, N.;Wan, C. H.;Moshchalkov, V. V.
本征体硅（i-Si）在正向偏压下具有非饱和正磁电阻效应，在高磁场（5 T<B<40 T）下呈现近似线性的磁电阻效应。在室温下，使用1.5V的偏压，在40 T下，MR达到180%，
Nonsaturating positive magnetoresistance (MR) of intrinsic bulk silicon (i-Si) was observed at forward bias, exhibiting an almost linear behavior at high magnetic fields (5 T<B<40 T). The MR reaches 180% at 40 T at room temperature using a bias of 1.5 V,
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J. J. Schoonus-J.;J. Kohlhepp;Hjm Henk Swagten;B. Koopmans