Silicon Carbide n-IGBTs: Structure Optimization for Ruggedness Enhancement
Silicon Carbide n-IGBTs: Structure Optimization for Ruggedness Enhancement
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碳化硅 n-IGBT：结构优化以增强耐用性
DOI：
10.1109/tia.2024.3354870
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发表时间：
2024
影响因子：
4.4
通讯作者：
Almpanis I
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Almpanis I
近年来，基于碳化硅(SIC)的器件由于其性能的优势，在功率变换应用中正越来越多地取代它们的硅同行。碳化硅绝缘栅双极晶体管特别令人感兴趣，因为它们对于额定电压为10KV或更高的设备来说，由于其低的导通状态压降，似乎是最适合中高压应用的。然而，碳化硅IGBT的广泛采用要求坚固耐用的器件能够在恶劣的条件下生存。利用Sentaurus TCAD软件和基于已发表实验结果的验证模型，对SiCIGBT的短路、非故意导通和dv/dt坚固性进行了全面的研究，确定了器件参数对IGBT整体坚固性的影响。本文旨在提出在器件级提高IGBT坚固性的最有效方法。
In recent years, silicon carbide (SiC) based devices are increasingly replacing their silicon counterparts in power conversion applications due to their performance superiority. SiC insulated-gate bipolar transistors are particularly interesting as they appear to be the most appropriate for medium and high voltage applications due to their low on-state voltage drop for devices rated at 10kV or higher. However, the widespread adoption of SiC IGBT requires rugged devices capable of surviving in harsh conditions. By using Sentaurus TCAD and validated models based on published experimental results, the short-circuit, unintentional turn-on and dV/dt ruggedness of SiC IGBTs are comprehensively explored and the impact of device parameters on the overall IGBT ruggedness were identified. This paper aims to propose the most efficient methods for IGBT ruggedness enhancement on the device level.
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DOI：
10.1109/ecce50734.2022.9947492
发表时间：
2022
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Almpanis I
通讯作者：
Almpanis I
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DOI：
10.1109/demped.2019.8864804
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--
作者：
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通讯作者：
F. Udrea
DOI：
10.1109/wipdaeurope55971.2022.9936475
发表时间：
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Ioannis Almpanis;P. Evans;M. Antoniou;P. Gammon;L. Empringham;F. Udrea;P. Mawby;N. Lophitis
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影响因子：
3.1
作者：
Qingchun Zhang;Jun Wang;C. Jonas;R. Callanan;J. Sumakeris;S. Ryu;M. Das;A. Agarwal;J. Palmour;A. Huang
通讯作者：
A. Huang
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10.1109/sispad.2005.201481
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2005
期刊：
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--
作者：
S. Potbhare;N. Goldsman;G. Pennington;J. McGarrity;A. Lelis
通讯作者：
A. Lelis