Influence of Emitter Side Design on the Unintentional Turn-on of 10kV+ SiC n-IGBTs
Influence of Emitter Side Design on the Unintentional Turn-on of 10kV+ SiC n-IGBTs
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发射极侧设计对 10kV SiC n-IGBT 意外开通的影响
DOI：
10.1109/ecce50734.2022.9947492
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Almpanis I
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Almpanis I
额定电压高于10kV的碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极型晶体管(n-IGBT)由于碳化硅材料与n-IGBT器件结构的良好结合，可以改善中压和高压电力电子设备。本文研究了由于开关瞬变过程中产生的高dV/dt而产生的非故意导通现象，并分析了沟道长度、p势垒掺杂和氧化层厚度等设计参数对其抑制能力的影响。
Silicon Carbide (SiC) N-channel Insulated Gate Bipolar Transistors (n-IGBTs) rated higher than 10kV can improve Medium Voltage and High Voltage power electronics due to the favourable combination of SiC material with the n-IGBT device structure. This paper investigates the phenomenon of unintentional turn-on occurring due to high dV/dt produced during switching transients and analyses the impact of design parameters such as the channel length, the p-well doping and the oxide thickness for their ability to suppress it.
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DOI：
10.1109/demped.2019.8864804
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE 12th International Symposium on Diagnostics for Electrical Machines, Power Electronics and Drives (SDEMPED)
影响因子：
--
作者：
Amit K. Tiwari;S. Perkin;N. Lophitis;Marina Antoniou;T. Trajkovic;F. Udrea
通讯作者：
F. Udrea
DOI：
10.1109/jestpe.2020.2989805
发表时间：
2021
影响因子：
5.5
作者：
A. Stratta;B. Mouawad;M. Antonini;L. de Lillo;L. Empringham;Mark C. Johnson
通讯作者：
Mark C. Johnson
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L. Walker
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DOI：
10.1109/iit.1998.813837
发表时间：
1998
期刊：
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影响因子：
--
作者：
Y. Jang;T. Huh;J. Ro
通讯作者：
J. Ro
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DOI：
10.1109/ecce.2013.6647027
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition
影响因子：
--
作者：
A. Kadavelugu;S. Bhattacharya;S. Ryu;E. van Brunt;D. Grider;A. Agarwal;S. Leslie
通讯作者：
S. Leslie