Growth of GaAsBi/GaAs multiple quantum wells with up to 120 periods
Growth of GaAsBi/GaAs multiple quantum wells with up to 120 periods
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最多 120 个周期的 GaAsBi/GaAs 多量子阱的生长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126679
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发表时间：
2022
影响因子：
1.8
通讯作者：
Rockett T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rockett T
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GaAsNBi 合金中的双增强 N 掺入
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Occena;T. Jen;E. Rizzi;T. M. Johnson;J. Horwath;Y. Wang;R. Goldman
通讯作者：
R. Goldman
使用双衬底温度技术通过 MBE 生长 GaAsBi/GaAs MQW
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Patil;F. Ishikawa;S. Shimomura
通讯作者：
S. Shimomura
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DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Jones;E. Becker;R. Bergner;T. Bilir;D. Derkacs;O. Fidaner;D. Jory;Ting Liu;Ewelina Lucow;P. Misra;E. Pickett;F. Suárez;A. Sukiasyan;Ted Sun;Lan Zhang;V. Sabnis;M. Wiemer;H. Yuen
通讯作者：
H. Yuen
影响因子：
1.8
作者：
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通讯作者：
David, John P. R.
影响因子：
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作者：
Thomas, T.;Mellor, A.;Sweeney, S. J.
通讯作者：
Sweeney, S. J.