A Physic-Based Explicit Compact Model for Reconfigurable Field-Effect Transistor
A Physic-Based Explicit Compact Model for Reconfigurable Field-Effect Transistor
复制标题
基于物理的可重构场效应晶体管显式紧凑模型
DOI：
10.1109/access.2021.3064961
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Chen Zhuojun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ni Wangze;Dong Zhen;Huang Bairun;Zhang Yichi;Chen Zhuojun
本文提出了一种双栅可重构场效应晶体管（RFET）的紧凑模型。首先，通过求解不同通道区域的泊松方程，推导了基于物理的表面电位模型；然后是显式表达式
In this paper, a compact model for the double-gate Reconfigurable Field-Effect Transistor (RFET) is presented. Firstly, the physics-based surface potential model is derived by solving Poisson’s equation at different channel regions. Then an explicit expre
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