A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
复制标题
在硅衬底上生长的纳米线的可重复和通用生长形态优化的研究
DOI：
10.1016/j.vacuum.2022.111057
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发表时间：
2022-04
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Tao Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaoye Wang;Xue Bai;Xiaoguang Yang;Wenna Du;Tao Yang
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影响因子：
1.8
作者：
Xiaoye Wang;Xiaoguang Yang;W. Du;Ji Haiming;S. Luo;Tao Yang
通讯作者：
Xiaoye Wang;Xiaoguang Yang;W. Du;Ji Haiming;S. Luo;Tao Yang
影响因子：
10.8
作者：
A. Bailly;O. Renault;N. Barrett;L. Zagonel;P. Gentile;N. Pauc;F. Dhalluin;T. Baron;A. Chabli;J. Cezar;N. Brookes
通讯作者：
A. Bailly;O. Renault;N. Barrett;L. Zagonel;P. Gentile;N. Pauc;F. Dhalluin;T. Baron;A. Chabli;J. Cezar;N. Brookes
Si掺杂诱导的相位控制，p型和n型GaAs纳米线的形成
影响因子：
4
作者：
Yubin Kang;Jilong Tang;Fahad Azad;Xiaotian Zhu;Xue Chen;Xueying Chu;Dengkui Wang;Xuan Fang;Dan Fang;Fengyuan Lin;Kexue Li;Xiaohua Wang;Zhipeng Wei
通讯作者：
Zhipeng Wei
影响因子：
10.8
作者：
Yunyan Zhang;M. Aagesen;J. Holm;H. I. Jorgensen;Jiang Wu;Huiyun Liu
通讯作者：
Yunyan Zhang;M. Aagesen;J. Holm;H. I. Jorgensen;Jiang Wu;Huiyun Liu
影响因子：
4
作者：
B. Deepu;Seegehalli M. Anil;P. Savitha;Y. Basavaraju
通讯作者：
B. Deepu;Seegehalli M. Anil;P. Savitha;Y. Basavaraju