GaAs TUNNETT Diodes Oscillating at 430-655 GHz in CW Fundamental Mode
GaAs TUNNETT Diodes Oscillating at 430-655 GHz in CW Fundamental Mode
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GaAs TUNNETT 二极管在 CW 基本模式下以 430-655 GHz 振荡
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Nishizawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tanaka;Y.;Y.Okada;N.Hirokawa.;J.Nishizawa
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砷化镓 TUNNETT 二极管
影响因子：
4.3
作者：
J. Nishizawa;K. Motoya;Y. Okuno
通讯作者：
Y. Okuno
GaAs TUNNETT 二极管的 290-393 GHz CW 基模振荡
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Electronics Letters 41・7
影响因子：
--
作者：
Miki H;Y.Okada;N.Hirokawa;J.Nishizawa
通讯作者：
J.Nishizawa
第 1 章 – CW GaAs TUNNETT 二极管
DOI：
10.1016/b978-0-12-147700-4.50004-9
发表时间：
1988
影响因子：
4.3
作者：
K. Motoya;J. Nishizawa
通讯作者：
J. Nishizawa
GaAs Tunnett 二极管的亚毫米波振荡
DOI：
10.1109/euma.1979.332748
发表时间：
1979
期刊：
1979 9th European Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
J. Nishizawa;K. Motoya;Y. Okuno
通讯作者：
Y. Okuno
随时间变化的电子隧道穿过随时间变化的隧道势垒
影响因子：
3.2
作者：
Z. Gribnikov;G. Haddad
通讯作者：
G. Haddad