High temperature coefficient of resistance for a ferroelectric tunnel junction
High temperature coefficient of resistance for a ferroelectric tunnel junction
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铁电隧道结的高电阻温度系数
DOI：
10.1063/1.4928540
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发表时间：
2015-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiangjian Meng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaolin Zhao;Jianlu Wang;Xiangjian Meng
提出了一种基于铁电隧道结（FTJ）的红外探测器，其工作原理类似于测辐射热计。通过铁电势垒的电子隧穿（直接或间接）取决于器件的温度。在隧穿过程中，红外辐射通过热电性改变铁电膜的极化，导致隧道结的势垒高度发生变化。在室温下观察到高达-3.86%的高电阻温度系数。这些结果表明，FTJ结构具有适用于非制冷红外探测器的潜力。
An infrared detector is proposed that is based on a ferroelectric tunnel junction (FTJ) working under bolometer-like principles. Electron tunneling, either direct or indirect, through the ferroelectric barrier depends on the temperature of the devices. During tunneling, infrared radiation alters the polarization of the ferroelectric film via pyroelectricity, resulting in a change in the barrier height of the tunnel junction. A high temperature coefficient of resistance of up to −3.86% was observed at room temperature. These results show that the FTJ structure has potential to be adapted for use in uncooled infrared detectors.
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