Metal-assisted chemical etching of silicon 3D nanostructure using direct-alternating electric field
Metal-assisted chemical etching of silicon 3D nanostructure using direct-alternating electric field
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使用直流交变电场金属辅助化学蚀刻硅 3D 纳米结构
DOI：
10.1007/s10854-015-3968-1
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发表时间：
2016-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yao Anqi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu Liqun;Yao Anqi
Metal-assisted chemical etching (MaCE) of silicon (Si) is a well-used method for the fabrication of Si nanostructures. To simplify the control etching for the fabrication of Si 3D nanostructures, we developed a new method using direct-alternating electric field to control the etching direction. We examined the MaCE process in the electric field, and evaluated the effect of different electric field frequencies and ultrasonic ion bubbles on the production of Si nanostructures. The results demonstrate that electric fields can effectively control etching direction and can be used to fabricate Si 3D nanostructures. Optimization of the electric current density and electric field frequency range has been performed.
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10.1088/0953-8984/25/18/184008
发表时间：
2013-04
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
S. Nakabayashi;R. Shinozaki;Y. Senda;H. Yoshikawa
通讯作者：
S. Nakabayashi;R. Shinozaki;Y. Senda;H. Yoshikawa