Synthesis of AlN Single Crystal by Solution Growth Method in SUS430 Flux
Synthesis of AlN Single Crystal by Solution Growth Method in SUS430 Flux
复制标题
SUS430熔剂溶液生长法合成AlN单晶
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安達正芳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李 森;福山博之;大塚 誠;安達正芳
影响因子：
1.5
作者：
H. Isobe;F. Kawamura;M. Kawahara;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
H. Isobe;F. Kawamura;M. Kawahara;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
常压氮气压力下使用冷坩埚 LPE 生长 AlN 单晶
DOI：
10.1002/pssc.200674727
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
Tanaka Takashi;Nobuyoshi Yashiro;Y. Shirai;K. Kamei;A. Yauchi
通讯作者：
A. Yauchi
生长速率对1450℃氢化物气相外延AlN同质外延生长的影响
影响因子：
2.3
作者：
Y. Kumagai;K. Goto;Toru Nagashima;Reo Yamamoto;M. Boćkowski;J. Kotani
通讯作者：
J. Kotani