Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing
Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing
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使用质子束写入在碳化硅器件中选择性形成硅空位
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Kada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohshima;Y. Yamazaki;Y. Chiba;Y. Hijikata;K. Kojima;S.-Y. Lee;W. Kada
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影响因子：
4.6
作者：
Simin, D.;Fuchs, F.;Dyakonov, V.
通讯作者：
Dyakonov, V.
影响因子：
12.5
作者：
Simin, D.;Soltamov, V. A.;Astakhov, G. V.
通讯作者：
Astakhov, G. V.
基于碳化硅中的水平抗骨骼的光学温度计。
影响因子：
4.6
作者：
Anisimov AN;Simin D;Soltamov VA;Lebedev SP;Baranov PG;Astakhov GV;Dyakonov V
通讯作者：
Dyakonov V
影响因子：
4.6
作者：
Kraus H;Soltamov VA;Fuchs F;Simin D;Sperlich A;Baranov PG;Astakhov GV;Dyakonov V
通讯作者：
Dyakonov V
影响因子：
2.7
作者：
Y. Yamazaki;Yoji Chiba;T. Makino;Shin‐ichiro Sato;N. Yamada;T. Satoh;Y. Hijikata;K. Kojima;Sang-Yun Lee;T. Ohshima
通讯作者：
Y. Yamazaki;Yoji Chiba;T. Makino;Shin‐ichiro Sato;N. Yamada;T. Satoh;Y. Hijikata;K. Kojima;Sang-Yun Lee;T. Ohshima