Effects of active layer thickness on Er excitation cross section in GaInP/GaAs:Er,O/GaInP DH structure light-emitting diodes
Effects of active layer thickness on Er excitation cross section in GaInP/GaAs:Er,O/GaInP DH structure light-emitting diodes
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GaInP/GaAs:Er,O/GaInP DH结构发光二极管活性层厚度对Er激发截面的影响
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Koizumi;Y.Fujiwara;A.Urakami;K.Inoue;T.Yoshikane;Y.Takeda
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发表时间：
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