Reduced Etch Lag and High Aspect Ratios by Deep Reactive Ion Etching (DRIE).
Reduced Etch Lag and High Aspect Ratios by Deep Reactive Ion Etching (DRIE).
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通过深度反应离子蚀刻（DRIE）减少蚀刻滞后和高纵横比。
DOI：
10.3390/mi12050542
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发表时间：
2021-05-10
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Dual J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gerlt MS;Läubli NF;Manser M;Nelson BJ;Dual J
采用Bosch工艺的深反应离子蚀刻（DRIE）是用于制造硅中MEMS和微流体应用的微米尺寸结构的关键程序之一，因此对于生物医学研究中的微结构化越来越重要。在保证高纵横比结构并提供高设计灵活性的同时，蚀刻过程遭受反应离子蚀刻滞后，并且通常依赖于复杂的氧化物掩模来实现深蚀刻。反应性离子蚀刻滞后导致超过1：1的纵横比的特征的蚀刻深度减小，通常导致纵横比范围从2.5：1到10：1的结构的高度差超过10%，并且因此可以显著地影响随后的器件功能。在这项工作中，我们介绍了一个优化的两步博世工艺，减少蚀刻滞后低于1.5%。此外，我们展示了一个改进的三步博世工艺，允许制造的结构的宽度在深度，同时保持其稳定性。
Deep reactive ion etching (DRIE) with the Bosch process is one of the key procedures used to manufacture micron-sized structures for MEMS and microfluidic applications in silicon and, hence, of increasing importance for miniaturisation in biomedical research. While guaranteeing high aspect ratio structures and providing high design flexibility, the etching procedure suffers from reactive ion etching lag and often relies on complex oxide masks to enable deep etching. The reactive ion etching lag, leading to reduced etch depths for features exceeding an aspect ratio of 1:1, typically causes a height difference of above 10% for structures with aspect ratios ranging from 2.5:1 to 10:1, and, therefore, can significantly influence subsequent device functionality. In this work, we introduce an optimised two-step Bosch process that reduces the etch lag to below 1.5%. Furthermore, we demonstrate an improved three-step Bosch process, allowing the fabrication of structures with width at depths up to while maintaining their stability.
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DOI：
10.1007/s00542-006-0211-2
发表时间：
2007-03-01
影响因子：
2.1
作者：
Chen, S. C.;Lin, Y. C.;Cheng, C. H.
通讯作者：
Cheng, C. H.
影响因子：
2.3
作者：
Laermer, F;Urban, A
通讯作者：
Urban, A
影响因子：
2.3
作者：
Parasuraman, Jayalakshmi;Summanwar, Anand;Bourouina, Tank
通讯作者：
Bourouina, Tank
影响因子：
1.4
作者：
Blaw, MA;Zijlstra, T;van der Drift, E
通讯作者：
van der Drift, E
影响因子：
2.9
作者：
Lai, S. L.;Johnson, D.;Westerman, R.
通讯作者：
Westerman, R.