Novel unconventional inorganic nanowires: fabrication, structural analysis and electrical property evaluation
Novel unconventional inorganic nanowires: fabrication, structural analysis and electrical property evaluation
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新型非常规无机纳米线：制造、结构分析和电性能评估
DOI：
10.1007/s00339-006-3712-z
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Zhan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Golberg;Y. Bando;A. Prokofiev;Junqing Hu;L. Yin;J. Zhan
重点介绍了作者近年来在合成新型无机半导体纳米线、使用最先进的电子显微镜设施和技术分析其原子结构以及评估电性能方面所做的努力。除了对实验室制备和彻底表征的纳米结构进行全面调查外，还特别强调了 Si-ZnS 和 B-C-N 无机系统中非标准纳米线的分析。 Si-ZnS 双轴纳米线异质结被发现是 n 型半导体，主要是由于硅路径电阻较低。分形状 B-C-N 纳米纤维表现出高电阻率 I-V 曲线，这是由于绝缘富 BN 相对纳米结构外围的富集而产生的，正如能量过滤电子显微镜期间的空间分辨化学图所揭示的那样。
The authors’ endeavors in recent years to synthesize novel inorganic semiconducting nanowires, to analyze their atomic structures using state-of-the-art electron microscopy facilities and techniques, and to evaluate electrical properties are highlighted. Along with a general survey of nanostructures prepared and thoroughly characterized in the laboratory, particular emphasis is placed on analysis of non-standard nanowires in the Si-ZnS and B-C-N inorganic systems. Si-ZnS biaxial nanowire heterojunctions are found to be n-type semiconductors, due primarily to a lower resistance Si-path. Fractal-like B-C-N nanofibers display high-resistivity I-V curves arising from enrichment of the nanostructure periphery by the insulating BN-rich phase, as revealed by spatially-resolved chemical mapping during energy-filtering electron microscopy.
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