Depth profiling of chemical states and charge density in HfSiON by photoemission snectroscopy using synchrotron radiation
Depth profiling of chemical states and charge density in HfSiON by photoemission snectroscopy using synchrotron radiation
复制标题
使用同步辐射的光电发射光谱法对 HfSiON 中的化学态和电荷密度进行深度分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Tanimura;S.Toyoda;et. al.
登录
查看更多内容
HfAlOx(N) 栅极电介质中氮的掺入对抑制硼渗透的作用
影响因子：
1.4
作者：
T. Nabatame;K. Iwamoto;Katsuhiko Yamamoto;K. Tominaga;H. Hisamatsu;M. Ohno;K. Akiyama;M. Ikeda;T. Nishimura;H. Ota;T. Horikawa;A. Toriumi
通讯作者：
A. Toriumi
Ar/N2 环境中等离子体氮化处理的掺氮 MOCVD Hf-硅酸盐栅极电介质的结构和电学特性
影响因子：
3.9
作者：
S. Kamiyama;T. Miura;Y. Nara;T. Arikado
通讯作者：
T. Arikado
Si(100)上超薄氮氧化硅中氮的化学构型
影响因子：
3.7
作者：
Jeong Won Kim;H. Yeom;Yong‐Duck Chung;K. Jeong;C. Whang;M. K. Lee;H. Shin
通讯作者：
H. Shin
Si(100)/HfSiON 界面的表征
DOI：
10.1016/j.nimb.2004.01.175
发表时间：
2004
影响因子：
1.3
作者：
Masamichi Suzuki;A. Takashima;M. Koyama;R. Iijima;T. Ino;M. Takenaka
通讯作者：
M. Takenaka
ESCA 检测 SiO 2 /Si 中的电子陷阱和空穴陷阱
影响因子：
--
作者：
S. Iwata;N. Yamamoto;F. Yano
通讯作者：
F. Yano