Absorption coefficients in AlGaInP lattice-matched to GaAs
Absorption coefficients in AlGaInP lattice-matched to GaAs
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AlGaInP 中的吸收系数与 GaAs 晶格匹配
DOI：
10.1016/j.solmat.2017.01.042
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发表时间：
2017
影响因子：
6.9
通讯作者：
Cheong J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cheong J
通过对7种同结AlGaInP PIN二极管结构的光电流与波长的测量，得到了从AlInP到GaInP的组成范围内与GaGaInP晶格匹配的吸收系数。由于光电流测量技术的灵敏度，在接近带隙的地方测量了低至100 cm−的吸收率。从这些数据中，提取了该材料体系中的带隙，这些数据证实了文献中的数据，这些数据表明，当铝含量x>；0.48时，带隙变得间接。
The absorption coefficient of AlGaInP lattice-matched to GaAs, across the composition range from AlInP to GaInP has been obtained from photocurrent versus wavelength measurements on seven homo-junction AlGaInP PIN diode structures. Due to the sensitivity of the photocurrent measurement technique, values of absorption down to 100cm−1have been determined close to the band-gap. From these, the bandgaps in this material system were extracted across the composition range and these corroborate data in the literature that shows the band-gap becoming indirect when the aluminium content,x>0.48.
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通讯作者：
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