Electrical Characterization of Fabricated pin Diodes made from SixGe1-x-ySny with an Embedded Ge1-xSnx Quantum Well
Electrical Characterization of Fabricated pin Diodes made from SixGe1-x-ySny with an Embedded Ge1-xSnx Quantum Well
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由具有嵌入式 Ge1-xSnx 量子阱的 SixGe1-x-ySny 制成的装配式 pin 二极管的电气特性
DOI：
10.23919/mipro.2019.8757211
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Schulze
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Povolni;D. Schwarz;C.J. Clausen;Y. Elogail;H.S. Funk;M. Oehme;D. Weißhaupt;J. Schulze
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