Effect of CoSi2 buffer layer on structure and magnetic properties of Co films grown on Si (001) substrate
Effect of CoSi2 buffer layer on structure and magnetic properties of Co films grown on Si (001) substrate
复制标题
CoSi2缓冲层对Si(001)衬底上Co薄膜结构和磁性能的影响
DOI：
10.1088/1674-1056/24/1/017502
复制
发表时间：
2015
影响因子：
1.7
通讯作者：
Cheng Zhao-Hua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu Bo;He Wei;Ye Jun;Tang Jin;Ahmad Syed Sheraz;Zhang Xiang-Qun;Cheng Zhao-Hua
缓冲层的存在为提高磁性薄膜的质量提供了一个机会。本文在Si（001）衬底上生长了具有不同厚度CoSi_2缓冲层的Co薄膜。利用扫描隧道显微镜（STM）、低能电子衍射（LEED）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）和表面磁光克尔效应（SMOKE）等手段对薄膜的形貌、结构和磁性进行了研究。结果表明，CoSi2缓冲层的厚度对Co薄膜的结晶质量和磁各向异性有很大的影响。少量的CoSi_2单层膜可以阻止Si衬底与Co膜的互扩散，提高Co膜的质量。此外，具有最佳缓冲层的Co薄膜的面内磁各向异性表现出四重对称性，并呈现出立方（001）薄膜中典型的磁化反转过程的两次跳跃现象。
Buffer layer provides an opportunity to enhance the quality of ultrathin magnetic films. In this paper, Co films with different thickness of CoSi2 buffer layers were grown on Si (001) substrates. In order to investigate morphology, structure, and magnetic properties of films, scanning tunneling microscope (STM), low energy electron diffraction (LEED), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and surface magneto-optical Kerr effect (SMOKE) were used. The results show that the crystal quality and magnetic anisotropies of the Co films are strongly affected by the thickness of CoSi2 buffer layers. Few CoSi2 monolayers can prevent the interdiffusion of Si substrate and Co film and enhance the Co film quality. Furthermore, the in-plane magnetic anisotropy of Co film with optimal buffer layer shows four-fold symmetry and exhibits the two-jumps of magnetization reversal process, which is the typical phenomenon in cubic (001) films.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
S. Dash;D. Goll;H. Carstanjen
通讯作者：
S. Dash;D. Goll;H. Carstanjen
影响因子：
3.2
作者：
B. G. Demczyk;V. Naik;A. Lukaszew;R. Naik;G. Auner
通讯作者：
B. G. Demczyk;V. Naik;A. Lukaszew;R. Naik;G. Auner
影响因子：
3.2
作者：
R. Gupta;A. Khandelwal;D. Avasthi;K. Nair;A. Gupta
通讯作者：
R. Gupta;A. Khandelwal;D. Avasthi;K. Nair;A. Gupta
影响因子：
3.2
作者：
S. J. Steinmuller;C. Vaz;V. Ström;C. Moutafis;C. M. Gürtler;M. Kläui;J. Bland;Z. Cui
通讯作者：
S. J. Steinmuller;C. Vaz;V. Ström;C. Moutafis;C. M. Gürtler;M. Kläui;J. Bland;Z. Cui
完美有序的相同尺寸纳米团簇阵列的自发组装
影响因子：
8.6
作者：
Li, JL;Jia, JF;Zhang, SB
通讯作者：
Zhang, SB