Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces
Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces
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氧化硅表面生长硅层的光致发光
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Shklyaev;Y.Nakamura;M.Ichikawa
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Si 中刃位错的电子和弹性特性。
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
Liu;Mostoller;Milman;Chisholm;Kaplan
通讯作者：
Kaplan
塑性变形硅晶体中的位错发光：位错交叉和氧修饰的影响
DOI：
10.1051/epjap:2004146
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
E. Leoni;S. Binetti;B. Pichaud;S. Pizzini
通讯作者：
S. Pizzini
Si(001) 表面上的三维硅岛
影响因子：
3.7
作者：
A. Shklyaev;M. Ichikawa
通讯作者：
M. Ichikawa
界面对在 SiO2 覆盖的 Si 表面上生长的 Ge 点的量子限制的影响
影响因子：
1.9
作者：
A. Shklyaev;M. Ichikawa
通讯作者：
M. Ichikawa
掺杂β-FeSi_2的光致发光增强
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Optical Materials 27
影响因子：
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作者：
Yoshikazu Terai;Yoshihito Maeda
通讯作者：
Yoshihito Maeda