Investigation of the surface elasticity of GaN by atomistic simulations and its application to the elastic relaxation of GaN nanoisland
Investigation of the surface elasticity of GaN by atomistic simulations and its application to the elastic relaxation of GaN nanoisland
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原子模拟研究GaN表面弹性及其在GaN纳米岛弹性弛豫中的应用
DOI：
10.1016/j.matlet.2014.11.100
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发表时间：
2015-02
影响因子：
3
通讯作者：
Chen, Bin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ye, Wei;Chen, Bin
外延半导体的表面效应已被广泛研究，但迄今为止仅限于恒定的表面过剩能或表面应力。这项工作提供了第一个报告的完整的表面弹性张量的纤锌矿GaN的原子模拟。作为应用，该结果被用于GaN纳米岛的弹性弛豫研究。结果表明，当纳米岛的尺寸小于10 nm时，表面弹性对于确定纳米岛的整体性质变得重要。这可能有助于高质量纳米结构的制造和设计。
Surface effect on epitaxial semiconductors has been widely investigated but limited to constant surface excess energy or surface stress so far. This work provides the first report on the complete surface elasticity tensors of wurzite GaN by atomistic simulations. As an application, this result is used in the investigation of the elastic relaxation of GaN nanoisland. It is demonstrated that surface elasticity becomes important to determine the overall property of the nanoisland when its size is lower than 10 nm. This could hopefully help the fabrication and design of high quality nanostructures.
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