Investigation of Off-State Stress Induced Degradation of SiC MOSFETs Under Short-Circuit Condition
Investigation of Off-State Stress Induced Degradation of SiC MOSFETs Under Short-Circuit Condition
复制标题
短路条件下 SiC MOSFET 断态应力引起的退化研究
DOI：
10.1109/tie.2022.3189071
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发表时间：
2023
影响因子：
7.7
通讯作者：
Zhen Xin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jianlong Kang;Qing Liu;Haoze Luo;Hu Cao;Zi-Hui Zhang;Zhen Xin
碳化硅（SiC）MOSFET短路（SC）退化机理的研究是提高功率变换器整体可靠性的关键。目前，对SiC陶瓷材料降解机理的研究主要集中在SiC陶瓷材料的热分解、热分解、热分解和热分解等方面。
Investigation of silicon carbide (SiC) mosfets short-circuit (SC) degradation mechanism is critical to improve the overall reliability of power converters. At present, research on the SiC mosfets degradation mechanism mainly focuses on t
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影响因子：
6.7
作者：
Deng, Xiaochuan;Li, Xu;Zhang, Bo
通讯作者：
Zhang, Bo
DOI：
10.1109/jestpe.2021.3110476
发表时间：
2021-09
影响因子：
5.5
作者：
S. Pu;Fei Yang;B. Vankayalapati;B. Akin
通讯作者：
S. Pu;Fei Yang;B. Vankayalapati;B. Akin
影响因子：
3.1
作者：
K. Puschkarsky;Tibor Grasser;T. Aichinger;W. Gustin;Hans Reisinger
通讯作者：
K. Puschkarsky;Tibor Grasser;T. Aichinger;W. Gustin;Hans Reisinger
影响因子：
4.9
作者：
Liu, Jingcun;Zhang, Guogang;Wang, Jianhua
通讯作者：
Wang, Jianhua
影响因子：
6.7
作者：
T. Shoji;M. Kuwahara;M. Usui
通讯作者：
T. Shoji;M. Kuwahara;M. Usui