Damage coefficient in high-temperature particle- and g-irradiated silicon p-i-n diode
Damage coefficient in high-temperature particle- and g-irradiated silicon p-i-n diode
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高温粒子和 g 辐照硅 p-i-n 二极管的损伤系数
DOI：
--
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C.Claeys
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ohyama;K.Takakura;K.Hayama;S.Kuboyama;Y.Deguchi;S.Matsuda;E.Simoen;C.Claeys
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--
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