Indirect and direct optical transitions in In0.5Ga0.5As/GaP quantum dots
Indirect and direct optical transitions in In0.5Ga0.5As/GaP quantum dots
复制标题
In0 5Ga0 5As/GaP 量子点中的间接和直接光学跃迁
DOI：
10.1063/1.4870087
复制
发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
D. Bimberg
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Stracke;E. M. Sala;S. Selve;T. Niermann;A. Schliwa;A. Strittmatter;D. Bimberg
我们研究了在GaP(001)表面上自组装的In{sub0.5}Ga{sub0.5}As量子点，将生长参数与结构、光学和电学性质联系起来。量子点密度从5.0×10{sup 7}cm{sup−2}到1.5×10{sup 11}cm{sup−2}。在In{sub0.5}Ga{sub0.5}As沉积后的生长中断过程中使用成熟过程来改变量子点的尺寸。这项工作的主要焦点在于光学跃迁的性质，通过不同的盖层改善量子点的应变消除，可以从低效率的间接跃迁切换到高效的直接跃迁。
We present a study of self-assembled In{sub 0.5}Ga{sub 0.5}As quantum dots on GaP(001) surfaces linking growth parameters with structural, optical, and electronic properties. Quantum dot densities from 5.0 × 10{sup 7} cm{sup −2} to 1.5 × 10{sup 11} cm{sup −2} are achieved. A ripening process during a growth interruption after In{sub 0.5}Ga{sub 0.5}As deposition is used to vary the quantum dot size. The main focus of this work lies on the nature of optical transitions which can be switched from low-efficient indirect to high-efficient direct ones through improved strain relief of the quantum dots by different cap layers.
登录
查看更多内容
GaAs 基质中 In0.1Ga0.9As 层过度生长的 In0.8Ga0.2As 量子点的反转截锥成分分布
影响因子：
4
作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;C. Hennig;S. K. Becker;R. Sellin;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
(In,Ga)As/GaP 量子点中应变诱导的基本光学跃迁
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Robert;M. Nestoklon;K. P. D. Silva;L. Pédesseau;C. Cornet;M. Alonso;A. Goñi;P. Turban;J. Jancu;J. Even;O. Durand
通讯作者：
O. Durand
由直接带隙块体材料制成的量子点中的间接带隙
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Williamson;A. Franceschetti;H. Fu;L. Wang;A. Zunger
通讯作者：
A. Zunger
影响因子：
4
作者：
Grassman, T. J.;Carlin, J. A.;Ringel, S. A.
通讯作者：
Ringel, S. A.
DOI：
10.1016/j.physe.2003.02.001
发表时间：
2004-02-01
影响因子：
3.3
作者：
Fuchi, S;Nonogaki, Y;Takeda, Y
通讯作者：
Takeda, Y