The in situ observation of faceted dendrite growth during the directional solidification of GaSb
The in situ observation of faceted dendrite growth during the directional solidification of GaSb
复制标题
GaSb定向凝固过程中小面枝晶生长的原位观察
DOI：
10.1016/j.scriptamat.2019.04.022
复制
发表时间：
2019
影响因子：
6
通讯作者：
Kozo Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Keiji Shiga;Masato Kawano;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara
本研究直接观察了具有化学计量成分的熔融GaSb定向凝固过程中的晶体-熔体界面，并对枝晶结构的形成进行了研究。随着生长速度的增加，晶体-熔体界面变得不稳定，开始枝晶生长。{111}刻面的枝晶在<110>或<112>方向上生长，并在枝晶中心发现一对孪晶界。结果表明，GaSb中枝晶的生长与孪晶重入角的成核有关。
In this work, crystal–melt interfaces were directly observed during the directional solidification of molten GaSb having a stoichiometric composition, and the formation of dendrite structures was studied. With increases in growth velocity, the planar crystal–melt interface became unstable and dendrite growth was initiated. Dendrites having {111} facets were found to grow in either the <110> or <112> directions, and a pair of twin boundaries was identified at the center of a dendrite. The results show that the growth of dendrites in GaSb is associated with nucleation at twin-related reentrant corners.
登录
查看更多内容
影响因子：
8.6
作者：
EAGLESHAM, DJ;WHITE, AE;JACOBSON, DC
通讯作者：
JACOBSON, DC
GaSb 中的布里奇曼晶体生长和缺陷形成
影响因子：
1.8
作者：
P. Boiton;N. Giacometti;T. Duffar;J. Santailler;P. Dusserre;J. Nabot
通讯作者：
J. Nabot
InSb的枝晶生长
影响因子：
3.9
作者：
H. Nicholson;J. Faust
通讯作者：
J. Faust
影响因子：
1.8
作者：
K. Fujiwara;Yoshikazu Obinata;T. Ujihara;N. Usami;G. Sazaki;K. Nakajima
通讯作者：
K. Fujiwara;Yoshikazu Obinata;T. Ujihara;N. Usami;G. Sazaki;K. Nakajima
无浮渣熔体直拉法生长 GaSb 单晶的简单技术
影响因子：
1.8
作者：
C.E.M. de Oliveira;M. M. Carvalho
通讯作者：
M. M. Carvalho