Microcavity structures in single GaAs nanowires
Microcavity structures in single GaAs nanowires
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单根砷化镓纳米线的微腔结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Hua;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
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通过选择性区域 MOVPE 在 GaAs (111)B 表面生长 GaAs/AlGaAs 六角柱
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Physica E 3-4・23
影响因子：
--
作者：
Ryusuke Yamauchi;Seiichi Hata;Junpei Sakurai;Akira Shimokohbe;Junichi Motohisa
通讯作者：
Junichi Motohisa
影响因子：
4
作者：
P. Mohan;J. Motohisa;T. Fukui
通讯作者：
P. Mohan;J. Motohisa;T. Fukui
影响因子：
4
作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
通讯作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
影响因子：
1.8
作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui
通讯作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui