Growth of GaAs/AlGaAs hexiagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE
Growth of GaAs/AlGaAs hexiagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE
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通过选择性区域 MOVPE 在 GaAs (111)B 表面生长 GaAs/AlGaAs 六角柱
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Junichi Motohisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryusuke Yamauchi;Seiichi Hata;Junpei Sakurai;Akira Shimokohbe;Junichi Motohisa
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