Estimating and enhancing the tolerance and yield for tunneling SRAM cells by simulation
Estimating and enhancing the tolerance and yield for tunneling SRAM cells by simulation
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通过仿真估计和提高隧道 SRAM 单元的容差和成品率
DOI：
10.1109/sced.2011.5744194
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zuo D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zuo D
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高频隧道装置系统的低成本制造
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Proceedings, IEEE Tenth International Conference on Terahertz Electronics
影响因子：
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M. J. Kelly
通讯作者：
M. J. Kelly
基于简单模型计算的单稳态-双稳态转换逻辑元件切换时间分析
DOI：
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发表时间：
1995
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通讯作者：
K. Maezawa
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通讯作者：
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通讯作者：
M. Carr