Resistive switching and electrical control of ferromagnetism in a Ag/HfO2/Nb:SrTiO3/Ag resistive random access memory (RRAM) device at room temperature
Resistive switching and electrical control of ferromagnetism in a Ag/HfO2/Nb:SrTiO3/Ag resistive random access memory (RRAM) device at room temperature
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室温下 Ag/HfO2/Nb:SrTiO3/Ag 电阻式随机存取存储器 (RRAM) 器件中铁磁性的电阻开关和电气控制
DOI：
10.1088/0953-8984/28/5/056001
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发表时间：
2016-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jifan Hu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shaoqing Ren;Gengchang Zhu;Jihao Xie;Jianpei Bu;Hongwei Qin;Jifan Hu
在Ag/HfO_2/Nb：SrTiO_3/Ag阻变存储器件中发现了室温下的电致阻变和调制铁磁性。通过在HfO_2-Nb：SrTiO_3的界面上引入电子注入俘获/释放过程，对肖特基势垒进行修饰，可以实现双极电阻开关（RS）的控制。在具有较大负电压扫描的复位过程中，可以观察到多级RS跃迁，这与在复位过程中HfO_2层界面耗尽区的电子脱陷程度不同有关。室温铁磁性的电控制的起源可能与HfO_2膜中氧浓度的变化有关。vacancies.in多层电阻态和电场控制的铁磁性在超高密度存储和磁逻辑器件中具有潜在的应用前景。
Electrically induced resistive switching and modulated ferromagnetism are simultaneously.found in a Ag/HfO2/Nb:SrTiO3/Ag resistive random access memory device at room temperature..The bipolar resistive switching (RS) can be controlled by the modification of a Schottky-like.barrier with an electron injection–trapped/detrapped process at the interface of HfO2–Nb:SrTiO3..The multilevel RS transition can be observed in the reset process with larger negative voltage.sweepings, which is connected to the different degree of electron detrapping in the interfacial.depletion region of the HfO2 layer during the reset process. The origin of the electrical control of.room-temperature ferromagnetism may be connected to the change of density of oxygen vacancies.in the HfO2 film. The multilevel resistance states and the electric field controlled ferromagnetism.have potential for applications in ultrahigh-density storage and magnetic logic device.
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通讯作者：
X. Li
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--
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通讯作者：
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期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
S. Yoon;Yajie Chen;A. Yang;T. Goodrich;X. Zuo;D. Arena;K. Ziemer;C. Vittoria;V. Harris
通讯作者：
S. Yoon;Yajie Chen;A. Yang;T. Goodrich;X. Zuo;D. Arena;K. Ziemer;C. Vittoria;V. Harris