Resistive dependence of magnetic properties in nonvolatile Ti/Mn:TiO2/SrTi0.993Nb0.007O3/Ti memory device
Resistive dependence of magnetic properties in nonvolatile Ti/Mn:TiO2/SrTi0.993Nb0.007O3/Ti memory device
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非易失性 Ti/Mn:TiO2/SrTi0.993Nb0.007O3/Ti 存储器件中磁性能的电阻依赖性
DOI：
10.1063/1.3159740
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发表时间：
2009-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
X. Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Wu;Y. Yu;X. Xing;P. Hu;S. Li;X. Li
研究了在SrTi 0.993Ti0.0 0 7 O3衬底上制备的Mn掺杂TiO 2（Mn：TiO 2）薄膜的磁性与Ti / Mn：TiO 2 / Nb：SrTiO 3 / Ti器件不同电阻状态的关系。最初，该装置在不施加电压的情况下显示出顺磁性行为。当器件在施加正电压后切换到低电阻状态时，观察到稳健的铁磁性。相反，当施加负电压以切换到高阻态时，器件表现出弱铁磁性。这种电可控的铁磁性应归因于电场对Mn：TiO 2薄膜中氧空位浓度的可调性。
We report the relationship of the magnetic properties of the Mn-doped TiO 2 ( Mn : TiO 2 ) thin film on SrTi 0.993 Ti 0.007 O 3 substrate to the different resistance states of the Ti / Mn : TiO 2 / Nb : SrTiO 3 / Ti device. Initially, the device showed paramagnetic behavior without applying voltage. When the device was switched to low resistance state after applying a positive voltage, robust ferromagnetism was observed. In contrast, when a negative voltage was applied to switch to high resistance state, the device exhibited weak ferromagnetism. This electrically controllable ferromagnetism should be attributed to the tunability of oxygen-vacancy concentration in the Mn : TiO 2 film by electric field.
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