High-performance and self-rectifying resistive random access memory based on SnO2 nanorod array: ZnO nanoparticle structure
High-performance and self-rectifying resistive random access memory based on SnO2 nanorod array: ZnO nanoparticle structure
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基于SnO2纳米棒阵列的高性能自纠阻式随机存储器：ZnO纳米粒子结构
DOI：
10.7567/1882-0786/ab4d30
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发表时间：
2019-10
影响因子：
2.3
通讯作者：
Chen Zhenxiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Qi;Li Yang;Wang Wenxiao;Yue Wenjing;Gao Song;Zhang Chunwei;Cao Bingqiang;Chen Zhenxiang
为了开发高密度存储器阵列，提出了一种基于Cu/SnO 2纳米棒阵列：ZnO纳米颗粒（NP）/掺氟氧化锡（FTO）结构的自整流阻变存储器，以避免寄生电流。该器件具有高的开/关比、高的耐久性和上级数据保持能力等优点。提出了一个基于SnO 2/FTO肖特基势垒、ZnO NP陷阱效应和Cu细丝的载流子输运模型来解释自整流阻变特性。该工作为有效避免寄生电流提供了一种新的方法，在构建高性能透明存储器阵列方面也显示了良好的前景。
To develop high-density memory arrays, a self-rectifying resistive random access memory based on a Cu/SnO2 nanorod array: ZnO nanoparticle (NP)/fluorine-doped tin oxide (FTO) structure is proposed to avoid the sneak current. The proposed device exhibits transparent property and significant merits including high ON/OFF ratio, conspicuous endurance and superior data retention. A carrier transport model based on a SnO2/FTO Schottky barrier, ZnO NP trap effect and Cu filament is proposed to explain the self-rectifying resistive switching performance. This work provides a new method to effectively avoid sneak current and also shows promising prospects in constructing high-performance transparent memory arrays.
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影响因子：
4
作者：
S. Z. Rahaman;Heng-Yuan Lee;Yu-Sheng Chen;Yu-De Lin;Pang-Shiu Chen;Weisu Chen;Pei-Hua Wang
通讯作者：
S. Z. Rahaman;Heng-Yuan Lee;Yu-Sheng Chen;Yu-De Lin;Pang-Shiu Chen;Weisu Chen;Pei-Hua Wang
影响因子：
41.2
作者：
D. Strukov
通讯作者：
D. Strukov
影响因子：
41.2
作者：
Michel Fruchart;V. Vitelli
通讯作者：
Michel Fruchart;V. Vitelli
影响因子：
2.3
作者：
Wang, Ming-Hui;Chang, Ting-Chang;Sze, Simon M.
通讯作者：
Sze, Simon M.
DOI：
10.1016/j.jiec.2019.03.058
发表时间：
2019-08-25
影响因子：
6.1
作者：
Chang, Yu-Cheng;Wu, Shuo-Hsiu
通讯作者：
Wu, Shuo-Hsiu