Low excess noise APD with detection capabilities above 2 microns
Low excess noise APD with detection capabilities above 2 microns
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低过量噪声 APD，检测能力超过 2 微米
DOI：
10.1109/iciprm.2010.5516200
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Goh Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Goh Y
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影响因子：
2.5
作者：
Goh, Y. L.;Marshall, A. R. J.;Pinches, S. M.
通讯作者：
Pinches, S. M.
与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 II型量子阱结构的光致发光特性
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Takasaki;Y. Kawamura;T. Katayama;A. Yamamoto;H. Naito;N. Inoue
通讯作者：
N. Inoue
基于 InP 衬底上的 Ga1−xInxAs/GaAs1−ySby II 型超晶格的发光二极管和激光二极管
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Peter;R. Kiefer;F. Fuchs;N. Herres;K. Winkler;K. Bachem;J. Wagner
通讯作者：
J. Wagner
分子束外延生长的与 InP 衬底晶格匹配的 GaAs0.5Sb0.5 和 In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 II 型单异质结构的光学特性
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Yamamoto;Y. Kawamura;H. Naito;N. Inoue
通讯作者：
N. Inoue