Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN and their impacts on acceptor formation
Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN and their impacts on acceptor formation
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镁离子注入 GaN 中扩展缺陷和镁团聚的原子分辨率分析及其对受主形成的影响
DOI：
10.1063/5.0097866
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Ikarashi Nobuyuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kano Emi;Kataoka Keita;Uzuhashi Jun;Chokawa Kenta;Sakurai Hideki;Uedono Akira;Narita Tetsuo;Sierakowski Kacper;Bockowski Michal;Otsuki Ritsuo;Kobayashi Koki;Itoh Yuta;Nagao Masahiro;Ohkubo Tadakatsu;Hono Kazuhiro;Suda Jun;Kachi Tetsu;Ikarashi Nobuyuki
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硅中范围末端缺陷的奥斯特瓦尔德成熟
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
A. Claverie
影响因子：
1.6
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通讯作者：
Ishibashi, Shoji
影响因子：
4
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通讯作者：
S. Lopatin;S. Pennycook;J. Narayan;G. Duscher
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
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影响因子：
3.2
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通讯作者：
Tokuda, Yutaka