Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment
Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment
复制标题
在极高辐射环境下测试 n-in-p 硅传感器的辐射前和辐射后表面特性
DOI：
10.1016/j.nima.2010.04.094
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lindgren S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lindgren S
我们正在开发n+ in-p， p-bulk和n-读出微带传感器，作为超级大型强子对撞机实验ATLAS跟踪器升级的非逆变辐射硬硅探测器。滨松光电制造的传感器表面辐射损伤主要表现在带间电容、带间电阻和穿孔保护演变上。检测器应提供可接受的条带隔离，超过信号读出芯片的输入阻抗~ 1 kΩ，在集成亮度为6 ab-1之后，这是亮度目标的两倍。
We are developing n+-in-p, p-bulk and n-readout, microstrip sensors as a non-inverting radiation hard silicon detector for the ATLAS Tracker Upgrade at the super LHC experiment. The surface radiation damages of the sensors fabricated by Hamamatsu Photonics are characterized on the interstrip capacitance, interstrip resistance and punch-through protection evolution. The detector should provide acceptable strip isolation, exceeding the input impedance of the signal readout chip~ 1 kΩ, after the integrated luminosity of 6 ab-1, which is twice the luminosity goal.
登录
查看更多内容
DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Ellison;G. Hall;S. Roe;R. Wheadon;B. S. Avset;L. Evensen
通讯作者：
L. Evensen
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
1999 IEEE Nuclear Science Symposium. Conference Record. 1999 Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (Cat. No.99CH37019)
影响因子：
--
作者：
T. Dubbs;M. Harms;H. Sadrozinski;A. Seiden;M. Wilson
通讯作者：
M. Wilson
DOI：
10.1016/j.nima.2004.07.153
发表时间：
2004-12-11
影响因子：
1.4
作者：
Casse, G;Allport, PP;Turner, PR
通讯作者：
Turner, PR
p-体硅微带传感器和辐照
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Unno;S. Terada;T. Kohriki;Y. Ikegami;K. Hara;K. Inoue;A. Mochizuki;K. Yamamura;Ken
通讯作者：
Ken