Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition
Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition
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在雾化学气相沉积中使用氯化镓源溶液控制 α-Ga2O3 薄膜的生长
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Ichiro Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuyuki Uno;Kazutoshi Matsumoto;and Ichiro Tanaka
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影响因子：
2.3
作者：
Kobayashi, Takuma;Gake, Tomoya;Matsushita, Yu-ichiro
通讯作者：
Matsushita, Yu-ichiro
影响因子：
2.1
作者：
S. Morimoto;H. Nishinaka;M. Yoshimoto
通讯作者：
S. Morimoto;H. Nishinaka;M. Yoshimoto
通过两步脉冲激光沉积工艺在 m 面蓝宝石上实现导电 n 型掺杂 α-Ga2O3
DOI：
10.1002/pssa.202200721
发表时间：
2022
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
S. Vogt;Clemens Petersen;M. Kneiß;D. Splith;T. Schultz;H. von Wenckstern;Norbert Koch;M. Grundmann
通讯作者：
M. Grundmann
蓝宝石衬底上外延生长的 α-Ga2o3 薄膜的 Ni 肖特基接触的温度依赖性肖特基二极管行为
DOI：
10.2139/ssrn.4303479
发表时间：
2023
期刊：
SSRN Electronic Journal
影响因子：
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作者：
S. Boldbaatar;V. Janardhanam;M. Zumuukhorol;Hoon;Hae;H. Kim;K. Shim;Chel
通讯作者：
Chel