Ab initio electron-defect interactions using Wannier functions
Ab initio electron-defect interactions using Wannier functions
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使用 Wannier 函数从头算电子缺陷相互作用
DOI：
10.1038/s41524-020-0284-y
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发表时间：
2020
影响因子：
9.7
通讯作者：
Bernardi, Marco
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu, I-Te;Park, Jinsoo;Zhou, Jin-Jian;Bernardi, Marco
由于计算成本的原因，从第一原理计算电子-缺陷（e-d）相互作用仍然是不切实际的。在这里，我们开发了一个插值方案的基础上最大本地化的Wannier函数（WFs），有效地计算d相互作用矩阵元素。插值后的矩阵元可以准确地再现直接计算的结果，而不需要插值，该方法可以显著地提高弛豫时间和缺陷限制电荷输运的计算速度。我们展示了硅和铜中的中性空位缺陷的示例计算，为此，我们计算了精细均匀和随机布里渊区网格上的e-d弛豫时间（对于铜，直接在费米表面上），以及低温下的缺陷限制电阻率。我们的插值方法打开了大门，在缺陷的存在下的电荷载流子动力学的原子计算。
Computing electron–defect (e–d) interactions from first principles has remained impractical due to computational cost. Here we develop an interpolation scheme based on maximally localized Wannier functions (WFs) to efficiently computee–d interaction matrix elements. The interpolated matrix elements can accurately reproduce those computed directly without interpolation and the approach can significantly speed up calculations ofe–d relaxation times and defect-limited charge transport. We show example calculations of neutral vacancy defects in silicon and copper, for which we compute thee–d relaxation times on fine uniform and random Brillouin zone grids (and for copper, directly on the Fermi surface), as well as the defect-limited resistivity at low temperature. Our interpolation approach opens doors for atomistic calculations of charge carrier dynamics in the presence of defects.
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DOI：
10.1063/1.4830405
发表时间：
2013-11
期刊：
The Journal of chemical physics
影响因子：
--
作者：
G. Ulian;S. Tosoni;G. Valdrè
通讯作者：
G. Ulian;S. Tosoni;G. Valdrè
W(001) 超薄膜中的自旋弛豫和 Elliott-Yafet 参数：表面态、各向异性和振荡效应
影响因子：
3.7
作者：
N. H. Long;P. Mavropoulos;S. Heers;B. Zimmermann;D. S. G. Bauer;S. Blügel;Y. Mokrousov
通讯作者：
Y. Mokrousov
影响因子：
8.6
作者：
P. Zahn;I. Mertig;Manuel Richter;H. Eschrig
通讯作者：
P. Zahn;I. Mertig;Manuel Richter;H. Eschrig
根据第一原理，中心对称材料中的自旋声子弛豫时间
影响因子：
3.7
作者：
Park, Jinsoo;Zhou, Jin-Jian;Bernardi, Marco
通讯作者：
Bernardi, Marco
影响因子：
8.6
作者：
Fedorov, Dmitry V.;Gradhand, Martin;Mertig, Ingrid
通讯作者：
Mertig, Ingrid