High-Speed Serializer for a 64 GS s−1 Digital-to-Analog Converter in a 28 nm Fully-Depleted Silicon-on-Insulator CMOS Technology
High-Speed Serializer for a 64 GS s−1 Digital-to-Analog Converter in a 28 nm Fully-Depleted Silicon-on-Insulator CMOS Technology
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适用于采用 28 nm 全耗尽绝缘体上硅 CMOS 技术的 64âGSâsâ1 数模转换器的高速串行器
DOI：
10.5194/ars-16-99-2018
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发表时间：
2018
影响因子：
0.4
通讯作者：
M. Berroth
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Widmann;M. Gözing;M. Berroth
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29.2 用于 100Gb/s 相干网络的发射器和接收器，具有采用 20nm CMOS 封装的集成 4×64GS/s 8b ADC 和 DAC
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
Jun Cao;Delong Cui;A. Nazemi;Tim He;Guansheng Li;B. Çatli;M. Khanpour;Kangmin Hu;Tamer A. Ali;Heng Zhang;Hairong Yu;Ben Rhew;Shiwei Sheng;Y. Shim;Bo Zhang;A. Momtaz
通讯作者：
A. Momtaz
DOI：
10.7873/date.2013.200
发表时间：
2013-03
期刊：
2013 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE)
影响因子：
--
作者：
P. Magarshack;P. Flatresse;G. Cesana
通讯作者：
P. Magarshack;P. Flatresse;G. Cesana
采用 28 nm CMOS 的 8 位 100 GS/s 分布式 DAC
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
影响因子：
--
作者：
Hao Huang;Johannes Heilmeyer;M. Grozing;M. Berroth
通讯作者：
M. Berroth
在薄 BOx 全耗尽型 SOI 技术中设置多 VT 器件的简单而高效的概念
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
2009 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference
影响因子：
--
作者：
J. Noel;O. Thomas;C. Fenouillet;M. Jaud;P. Scheiblin;A. Amara
通讯作者：
A. Amara