Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer
Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer
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V/III 比对具有 InGaN 中间层的 a 面 GaN 外延层的影响
DOI：
10.1088/1674-1056/23/2/026801
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发表时间：
2014-02
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang Zhan-Guo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei Hong-Yuan;Jiao Chun-Mei;Zhu Qin-Sheng;Wang Zhan-Guo
研究了 V/III 生长通量比对在具有 InGaN 中间层的 r 面蓝宝石衬底上生长的 a 面 GaN 薄膜的影响。研究发现表面形态、晶体质量、应变状态和基底层错密度在很大程度上取决于 V/III 比。随着V/III比的降低，表面形貌和晶体质量先改善后恶化，基面堆垛层错密度也先降低后增加。找到了a-GaN薄膜最佳表面形貌和晶体质量以及最小基面堆垛层错密度的最佳V/III比生长条件。我们还发现基面堆垛层错的形成是释放应变的有效途径。
The effects of V/III growth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated. The surface morphology, crystalline quality, strain states, and density of basal stacking faults were found to depend heavily upon the V/III ratio. With decreasing V/III ratio, the surface morphology and crystal quality first improved and then deteriorated, and the density of the basal-plane stacking faults also first decreased and then increased. The optimal V/III ratio growth condition for the best surface morphology and crystalline quality and the smallest basal-plane stacking fault density of a-GaN films are found. We also found that the formation of basal-plane stacking faults is an effective way to release strain.
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影响因子：
1.8
作者：
X. Ni;Y. Fu;Y. Moon;N. Biyikli;H. Morkoç
通讯作者：
X. Ni;Y. Fu;Y. Moon;N. Biyikli;H. Morkoç
影响因子：
4
作者：
Liu, R;Bell, A;Khan, MA
通讯作者：
Khan, MA
影响因子：
3.2
作者：
Sandip Ghosh;P. Misra;H. Grahn;Bilge İmer;S. Nakamura;S. Denbaars;J. Speck
通讯作者：
Sandip Ghosh;P. Misra;H. Grahn;Bilge İmer;S. Nakamura;S. Denbaars;J. Speck
影响因子：
3.2
作者：
Guhne, T.;Bougrioua, Z.;Albrecht, M.
通讯作者：
Albrecht, M.
影响因子：
1.8
作者：
T. Ko;Te-Chung Wang;R. Gao;Hou-Gaung Chen;G. S. Huang;T. Lu;H. Kuo;Shing-chung Wang
通讯作者：
T. Ko;Te-Chung Wang;R. Gao;Hou-Gaung Chen;G. S. Huang;T. Lu;H. Kuo;Shing-chung Wang