Gas source chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride on C-plane sapphire using B2H6 and NH3
Gas source chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride on C-plane sapphire using B2H6 and NH3
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使用 B2H6 和 NH3 在 C 面蓝宝石上气源化学气相沉积六方氮化硼
DOI：
10.1557/s43578-021-00446-5
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发表时间：
2021
影响因子：
2.7
通讯作者：
Redwing, Joan M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bansal, Anushka;Zhang, Xiaotian;Redwing, Joan M.
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影响因子：
1.8
作者：
Snure, Michael;Paduano, Qing;Kiefer, Arnold
通讯作者：
Kiefer, Arnold
影响因子：
1.8
作者：
C. Tsai;Yoshihiro Kobayashi;T. Akasaka;M. Kasu
通讯作者：
C. Tsai;Yoshihiro Kobayashi;T. Akasaka;M. Kasu
B2H6 硼薄膜化学气相沉积的模拟研究
影响因子：
1.8
作者：
D. Lamborn;D. Snyder;X. Xi;J. Redwing
通讯作者：
J. Redwing
乙硼烷和氨气混合物在化学气相沉积热壁反应器中的反应
DOI：
10.1021/j100144a023
发表时间：
1993
期刊：
The Journal of Physical Chemistry
影响因子：
--
作者：
C. Gómez;D. Díaz;F. Orgaz;J. Albella
通讯作者：
J. Albella
影响因子：
1.8
作者：
Kobayashi, Y.;Akasaka, T.;Makimoto, T.
通讯作者：
Makimoto, T.