Lifetime Enhancement of 4H-SiC PiN Diodes Using High Temperature Oxidation Treatment
Lifetime Enhancement of 4H-SiC PiN Diodes Using High Temperature Oxidation Treatment
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采用高温氧化处理延长 4H-SiC PiN 二极管的使用寿命
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.440
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Bonyadi Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bonyadi Y
三角形缺陷对3.3kV 4H-SiC PiN二极管电特性和开关性能的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
European Conference on Cognitive Ergonomics
影响因子：
--
作者：
Y. Bonyadi;P. Gammon;R. Bonyadi;O. Alatise;Ji Hu;S. Hindmarsh;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby
影响因子：
4
作者：
Danno, Katsunori;Nakamura, Daisuke;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
PL 成像识别缺陷上形成的 4H-SiC PiN 二极管的表征
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Bonyadi;P. Gammon;R. Bonyadi;V. Shah;C. Fisher;D. Martin;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby