Annealing effect on light-emitting FET characteristics of π-conjugated liquid crystalline polymer
Annealing effect on light-emitting FET characteristics of π-conjugated liquid crystalline polymer
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退火对π共轭液晶聚合物发光FET特性的影响
DOI：
10.7567/jjap.53.01ab17
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
H. Yanagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tatsuya Muneishi;A. Ishizumi;H. Yanagi
用poly[(9，9-dioctylfluorenyl-2，7-diyl)-co-bithiophenione](F8T2)旋涂薄膜研究了热退火对液晶π共轭聚合物有机电致发光场效应晶体管特性的影响。在350°C的各向同性相生长的均匀多晶薄膜中，双极载流子注入达到了很好的平衡，从而在交流栅极工作下获得了最高的发光。另一方面，在290℃从向列相中淬火的微晶薄膜的电子输运能力较弱，因此发光强度低于250℃下热处理的非晶态薄膜。
Thermal annealing effects on organic light-emitting field-effect transistor (OLEFET) characteristics of a liquid crystalline π-conjugated polymer were investigated using spin-coated films of poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophenione] (F8T2). Well-balanced ambipolar carrier injection was attained in the homogeneous polycrystalline film grown from the isotropic phase at 350 °C, resulting in the highest light emission under AC-gate operation. On the other hand, the film with microcrystalline grains quenched from the nematic phase at 290 °C was less electron-transporting so that the light emission intensity was lower than the amorphous film annealed at 250 °C.
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DOI：
--
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