Photoluminescence studies of Eu-implanted GaN epilayers
Photoluminescence studies of Eu-implanted GaN epilayers
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Eu 注入 GaN 外延层的光致发光研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Katchkanov;K. P. O'Donnell;S. Dalmasso;R. W. Martin;A. Braud;Y. Nakanishi;A. Wakahara;A. Yoshida
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Eu 掺杂 GaN 的光谱和时间分辨光致发光研究
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
E. Nyein;U. Hommerich;J. Heikenfeld;Dong‐Seon Lee;A. Steckl;J. Zavada
通讯作者：
J. Zavada
Eu 掺杂 GaN 的生长和 MIS 结构的电致发光
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Morishima;T. Maruyama;M. Tanaka;K. Akimoto
通讯作者：
K. Akimoto
使用发射沟道在 GaN 中注入 147Nd 和 147*Pm 的晶格位置
DOI：
10.1002/pssc.200390086
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
B. Vries;U. Wahl;A. Vantomme;J. Correia
通讯作者：
J. Correia
3 MeV电子辐照对Eu掺杂GaN光致发光性能的影响
影响因子：
4
作者：
Y. Nakanishi;A. Wakahara;H. Okada;A. Yoshida;T. Ohshima;H. Itoh
通讯作者：
H. Itoh
GaN 中 149Gd 衰变至 149Eu 的发射沟道实验
DOI：
10.1016/j.mseb.2003.08.025
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Vries;U. Wahl;A. Vantomme;J. Correia
通讯作者：
J. Correia