A numerical method for a transient quantum drift-diffusion model arising semiconductor devices
A numerical method for a transient quantum drift-diffusion model arising semiconductor devices
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半导体器件瞬态量子漂移扩散模型的数值方法
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Odanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shimada;S. Odanaka
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MOSFET 中量子约束输运模拟的高分辨率方法
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
IEEE Transactions on CAD of ICAS 26
影响因子：
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作者：
S.Nishibata;M.Suzuki;S.Odanaka
通讯作者：
S.Odanaka
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Gajewski;H. Kaiser;H. Langmach;R. Nürnberg;R. Richter
通讯作者：
R. Richter
MOS 隧道效应的密度梯度分析
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Ancona;Zhiping Yu;R. Dutton;P. V. Voorde;M. Cao;D. Vook
通讯作者：
D. Vook
影响因子：
3.1
作者：
M. Ancona
通讯作者：
M. Ancona
瞬态量子漂移扩散模型的自适应时间离散
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Proceedings of International Conference of Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子：
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作者：
Hashimoto;A. Matsumura;I. Hashimoto and A. Matsumura;T. Shimada and S. Odanaka
通讯作者：
T. Shimada and S. Odanaka