Histrical Evolution and Future Prospects of Research on Compound Semiconductor Electron Devices and Related Materials (invited)
Histrical Evolution and Future Prospects of Research on Compound Semiconductor Electron Devices and Related Materials (invited)
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化合物半导体电子器件及相关材料研究的历史沿革与未来展望（特邀）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuya;Sudo;D. Ehrentraut;H. Hasegawa
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迈向太赫兹时代的基于HEMT的纳米器件（特邀）
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Int'l Workshop "Tera-and Nano-Devices : Physics and Modeling" vol.1,no.1
影响因子：
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作者：
K.Narahara;T.Otsuji;E.Sano;E.Sano
通讯作者：
E.Sano
通过选择性区域 MOVPE 在 GaAs (111)B 表面生长 GaAs/AlGaAs 六角柱
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Physica E 3-4・23
影响因子：
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作者：
Ryusuke Yamauchi;Seiichi Hata;Junpei Sakurai;Akira Shimokohbe;Junichi Motohisa
通讯作者：
Junichi Motohisa
具有高注入效率的(GaAl)As-GaAs异质结晶体管
影响因子：
3.2
作者：
M. Konagai;Kiyoshi Takahashi
通讯作者：
Kiyoshi Takahashi
用于化学传感器应用的 GaN 和 AlGaN 肖特基势垒中的电流传输机制和控制（特邀）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Applied Siuface Science 254
影响因子：
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作者：
H. Hasegawa;M. Akazawa
通讯作者：
M. Akazawa
一种新型功能性谐振隧道热电子晶体管 (RHET)
影响因子：
1.5
作者：
N. Yokoyama;K. Imamura;S. Muto;S. Hiyamizu;H. Nishi
通讯作者：
H. Nishi