Scribe-cleave-passivate (SCP) slim edge technology for silicon sensors
Scribe-cleave-passivate (SCP) slim edge technology for silicon sensors
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适用于硅传感器的划线-切割-钝化 (SCP) 薄边技术
DOI：
10.1016/j.nima.2013.03.046
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Fadeyev V
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fadeyev V
我们正在追求制造“细长边缘”传感器的刻痕-裂解-钝化(SCP)技术。这种传感器只有最少的非活动外围区域，这有利于构建大面积的跟踪器和成像系统。这种方法的关键应用步骤是表面划线、裂解和钝化所得到的侧壁。我们正在努力开发对加工设备性能的技术和物理理解。在本文中，我们首先回顾SCP技术的制造选项。然后，我们展示了在技术自动化和器件物理性能方面的新结果。后者包括边缘电荷收集效率和辐射硬度研究。我们还报告了应RD50合作者的要求处理的设备的状态。
We are pursuing scribe–cleave–passivate (SCP) technology of making “slim edge” sensors. Such sensors have only a minimal amount of inactive peripheral region, which benefits construction of large-area tracker and imaging systems. Key application steps of this method are surface scribing, cleaving, and passivation of the resulting sidewall. We are working on developing both the technology and physical understanding of the processed devices performance. In this paper we begin by reviewing the manufacturing options of SCP technology. Then we show new results regarding the technology automation and device physics performance. The latter includes charge collection efficiency near the edge and radiation hardness study. We also report on the status of devices processed at the request of the RD50 collaborators.
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--
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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