Feasibility of SAB using Nano-adhesion Layer for Low Temperature GaN Wafer Bonding
Feasibility of SAB using Nano-adhesion Layer for Low Temperature GaN Wafer Bonding
复制标题
SAB 使用纳米粘合层进行低温 GaN 晶圆键合的可行性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Higurashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Susa;T. Wakamatsu;M. Akaike;A. Shigetou;E. Higurashi
晶圆键合 GaN/GaN 和 GaN/AlGaN 半导体的界面结构和粘附力
影响因子：
3.2
作者：
F. Shi;K. Chang;K. Hsieh;L. Guido;Bill Hoke
通讯作者：
Bill Hoke
晶圆融合技术应用于 GaN/GaN 系统
影响因子：
1.5
作者：
Takashi Tokuda;S. Noda
通讯作者：
S. Noda
通过将 GaN 晶圆熔合到 InP 来切割 GaN 面
影响因子：
4
作者：
R. K. Sink;S. Keller;B. Keller;D. Babic;A. Holmes;D. Kapolnek;S. Denbaars;J. Bowers;Xinru Wu;J. Speck
通讯作者：
J. Speck