Protonation sites in chemically amplified resists for electron beam lithography Jpn
Protonation sites in chemically amplified resists for electron beam lithography Jpn
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用于电子束光刻的化学放大抗蚀剂中的质子化位点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Okamoto and S. Tagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Natsuda;T. Kozawa;K. Okamoto and S. Tagawa
化学放大抗蚀剂中有机碱对 KrF 光刻图案化特性的影响
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kawai;Akihiro Otaka;Akinobu Tanaka Akinobu Tanaka;Tadahito Matsuda Tadahito Matsuda
通讯作者：
Tadahito Matsuda Tadahito Matsuda
化学放大电子束和X射线抗蚀剂的聚合物筛选方法
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 43
影响因子：
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作者：
H.Yamamoto;A.Nakano;K.Okamoto;T.Kozawa;S.Tagawa
通讯作者：
S.Tagawa
化学放大抗蚀剂产酸剂与低能电子的反应性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
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作者：
A. Nakano;T. Kozawa;S. Tagawa;T. Szreder;J. F. Wishart;T. Kai;T. Shimokawa
通讯作者：
T. Shimokawa