Improved Optoelectronic Characteristics of Nanocrystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing
Improved Optoelectronic Characteristics of Nanocrystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing
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高压水蒸气退火改善纳米晶多孔硅的光电特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B.Gelloz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B.Gelloz;B.Gelloz
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DOI：
10.1143/jjap.37.l1452
发表时间：
1998-12-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
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作者：
Sameshima, T;Sakamoto, K;Saitoh, T
通讯作者：
Saitoh, T
低温处理后多孔硅光致发光演化的矛盾结果的可能解释
影响因子：
6.7
作者：
B. Gelloz
通讯作者：
B. Gelloz
影响因子：
4
作者：
Gelloz, B;Sano, H;Koshida, N
通讯作者：
Koshida, N
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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作者：
V. Skryshevsky;A. Laugier;V. Strikha;V. Vikulov
通讯作者：
V. Vikulov