Solution growth of CuInGaSe2 single crystal
Solution growth of CuInGaSe2 single crystal
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CuInGaSe2单晶的溶液生长
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenji Yoshino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Nagaoka;Kenji Yoshino
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碳 (C)、碳化硅 (SiC) 和氮化硅 (Si3N4) 与液态硅 (Si) 的润湿性
DOI：
10.1007/s11837-020-04369-0
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Iyer;Yuchang Xiao;Damian Durlik;K. Danaei;Leili Tafaghodi Khajavi;M. Barati
通讯作者：
M. Barati
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.477
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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作者：
Kensaku Yamamoto;M. Nagaya;H. Watanabe;E. Okuno;T. Yamamoto;S. Onda
通讯作者：
S. Onda
含有螺纹刃和螺旋位错的 4H–SiC 雪崩光电二极管的电学特性
DOI：
10.1063/1.3432663
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
R. A. Berechman;M. Skowronski;S. Soloviev;P. Sandvik
通讯作者：
P. Sandvik
4H-SiC 溶液生长中空洞形成的控制
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.57
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Mitani;Masayuki Okamura;Tetsuo Takahashi;N. Komatsu;Tomohisa Kato;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura
添加铝对 Si-Cr-C 溶液生长的 4H-SiC 表面台阶形貌的影响
影响因子：
1.8
作者：
T. Mitani;N. Komatsu;Tetsuo Takahashi;Tomohisa Kato;S. Harada;T. Ujihara;Y. Matsumoto;K. Kurashige;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura