MBE growth of Mn-doped Zn-Sn-As compounds on (001) InP substrates
MBE growth of Mn-doped Zn-Sn-As compounds on (001) InP substrates
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(001) InP 衬底上 Mn 掺杂 Zn-Sn-As 化合物的 MBE 生长
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Uchitomi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.T. Asubar;A. Kato;T. Kambayashi;S. Nakamura;Y. Jinbo;N. Uchitomi
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新型黄铜矿型三元化合物MnGeP_2的MBE生长
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J. Phys. Chem. Solids 66[11]
影响因子：
--
作者：
K.Sato;T.Ishibashi;K.Minami;H.Yuasa;J.Jogo;T.Nagatsuka;A.Mizusawa;Y.Kangawa;A.Koukitu
通讯作者：
A.Koukitu
高水平 Zn 受体掺入的 GaMnAs 的 MBE 生长和性能
DOI：
10.1002/pssa.200669582
发表时间：
2006
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
J. Asubar;Shoichro Sato;Y. Jinbo;N. Uchitomi
通讯作者：
N. Uchitomi
分子束外延生长单相 ZnSnAs2
影响因子：
1.4
作者：
G. Seryogin;S. Nikishin;H. Temkin;R. Schlaf;L. Sharp;Y. Wen;B. Parkinson;V. Elyukhin;Y. Kudriavtsev;A. Mintairov;N. Faleev;M. Baidakova
通讯作者：
M. Baidakova
MnSnAs2的电子和磁性能
DOI：
10.1002/pssb.200304641
发表时间：
2003
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
Sunglae Cho;Sungyoul Choi;G. Cha;S. Hong;Yongsup Park;Hyun‐Min Park;Yunki Kim;J. Ketterson
通讯作者：
J. Ketterson
ZnSe 生长前 Zn 在 GaAs(100)2 × 4 上的预吸附
影响因子：
1.4
作者：
S. Heun;J. Paggel;S. Rubini;A. Franciosi
通讯作者：
A. Franciosi